STT-MRAM是采用了名为自旋注入磁化反转（spin transfer torque：STT）数据擦写技术的磁存储器（MRAM）。这种存储器具有非易失性、工作速度快、擦写次数无限制、容易增大容量的理想性能，改变了“存储器（硬盘及NAND闪存）为非易失性、更高层次的内存为易失性”的传统架构。如果电子产品的主存及缓存所使用的DRAM和SRAM换成STT-MRAM，具有非易失性，那么能够大幅降低耗电量。比如，将STT-MRAM用于微处理器的缓存，就能够高频率切断电源，可将耗电量降至原来的几分之一以下。2012年11月，美国Everspin Technologies公司开始样品供货64Mbit产品，STT-MRAM步入实用阶段。
目标是实现Gbit级的大容量
STT-MRAM的记忆元件（MTJ）越微细，擦写电流就越小，越容易减小读写用晶体管，因此越容易高度集成（a）。2012年11月，已开始样品供货64Mbit产品（b）。（图由本站根据超低电压元器件技术研究联盟（LEAP）的资料制作，摄影：Everspin Technologies公司）
2006年开始量产的传统MRAM在数据写入线上通入电流，利用其周围产生的磁场进行数据擦写。而STT-MRAM能够利用记忆元件中流过的电流擦写数据，可实现内存单元的微细化和高度集成。由于STT-MRAM有望实现Gbit级的大容量，因此全球范围内开发竞争越来越激烈。在2012年12月的“IEDM（International Electron Devices Meeting） 2012”上，有三场技术会议，发表了近10项开发成果。
在开发取代DRAM的大容量产品方面走在前列的是东芝，该公司在IEDM 2012上发表了3篇论文。目前，东芝正与韩国SK Hynix共同开发，计划2014年实现产品化。据说东芝已将几十名技术人员派往SK Hynix的开发中心，着手试制30nm工艺以后的Gbit产品。东芝希望将STT-MRAM与自家的硬盘和SSD组合，强化存储器业务。韩国三星电子也表示：“希望采用非常微细的工艺技术开发出产品”（内存技术人员），目前正在稳步推进开发。
