飞兆半导体(FAIRCHILD)开发的Generation II XS DrMOS器件采用小型6mm x 6mm高性能clip PQFN封装，具有较高的系统效率，在12Vin、1Vout和25A条件下重负载效率高于91.5%，峰值效率则超过94%。Generation II XS DrMOS器件可在2MHz开关频率下运作，并具有最高50A的电流处理能力。

    飞兆半导体利用其在的MOSFET、栅极驱动器IC和封装技术方面的技术专长，对Generation II XS DrMOS器件进行优化，实现更高的效率并开发新的功能。这些技术提升使得Generation II XS DrMOS系列器件成为刀片服务器、高性能游戏主板、高性能笔记本电脑、显卡，以及大电流DC-DC负载点(point-of-load)转换器等应用的理想选择。

    Generation II XS DrMOS系列器件提供5V和3.3V三态电平以匹配Intel 4.0 DrMOS规范，并可兼容市场上的多种PWM控制器。这些器件能够显著减少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench MOSFET屏蔽栅极技术而产生的振铃噪声。同步FET还集成了一个肖特基二极管，免除外部缓冲器电路，提高总体性能和功率密度，同时减少占用空间和成本。Generation II XS DrMOS器件还可以为客户加入一项过热报警功能，可在故障期间防止出现过热状况。

    飞兆半导体Generation II XS DrMOS系列器件提供业界领先技术，以应对现今电子设计所遇到的能效和外形尺寸挑战。这些器件是飞兆半导体高能效的功率模拟、功率分立和光电子解决方案的一部分，能够在功率敏感应用中实现最大节能。