网站首页
IC库存
IC展台
电子资讯
技术资料
PDF文档
我的博客
IC72论坛
ic72 logo
搜索关键字: 所有资讯 行业动态 市场趋势 政策法规 新品发布 技术资讯 价格快报 展会资讯
  • 达普IC芯片交易网 > 新闻中心 > 技术资讯 > 正文
  • RSS
  • MIT开发出新型锗晶体管 速度提升四倍
    http://www.ic72.com 发布时间:2013/1/7 16:10:31

       
        据国外媒体报道,MIT 的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的 4 倍左右。为了能够提升速度,科学家们将锗放置在不同的硅层上和硅符合产品上,随后锗原子将与硅层结合起来,拉紧材料迫使最上层材料结构比它们的原始结构更加紧凑。听起来有点像我们用藤条改变植物的生长形状一样。


        紧凑的结构导致锗材料之间的洞孔更加紧密,晶体管的速度达到当今大部分实验设计的2倍,市场上晶体管速度的 4 倍。

     


    www.ic72.com 达普IC芯片交易网
  • 行业动态
  • 市场趋势
  • 政策法规
  • 新品发布
  • Baidu

    IC快速检索:abcdefghijklmnopqrstuvwxyz0123456789
    COPYRIGHT:(1998-2010) IC72 达普IC芯片交易网
    客户服务:service@IC72.com 库存上载:IC72@IC72.com
    (北京)联系方式: 在线QQ咨询:点击这里给我发消息 联系电话:010-82614113 传真:010-82614123
    京ICP备06008810号-21 京公网安备 11010802032910 号 企业资质