据EETimes网站报道，英特尔斥资30亿美元建造的一座12英寸芯片厂周四正式投产，这是英特尔首座采用45纳米工艺的大规模芯片制造厂。

    这座代号为Fab 32的工厂坐落于美国亚利桑那州Chandler市，2005年开始动工兴建，当时预计在2007年第二季度投产。Intel最先进的45nm生产中引入了铪基（hafnium-based）高k金属栅工艺。

    新厂主要生产代号为Penryn的芯片，主要用于支持网络运行的PC及服务器，产品预计于11月12日上市销售。

    新厂的投产将使英特尔进一步保持与AMD的竞争优势。目前，AMD仍在采用65纳米工艺，预计到明年才能转向45纳米。

    据悉，英特尔计划最高投资80亿美元升级或建造45纳米芯片厂，其中包括斥资35亿美元在以色列建厂，另投资15亿美元升级位于美国新墨西哥州的一家工厂，两家工厂均预计于明年投产。