随着智能手机的普及，伴随而来的智能手机待机时间短的问题逐渐受到人们的关注。一般情况下，智能手机待机最多不超过3天，如果用户经常用手机玩游戏，更是有可能连一天都坚持不下来。为此，很多产商都在研究如何降低手机的功耗问题。最近，日本东芝公司宣布他们开发出了一种新型高速缓存，承诺使用他们缓存的处理器可以降低三分之二的功耗。

    据 了解，如今市面上常见的移动处理器一般使用的缓存为高速静态随机存储器(SRAM)，SRAM 最大的问题是必须接通电源才能保存和刷新数据，这意味着它 会一直持续不断地消耗电源。并且随着处理器芯片性能地不断增加，SRAM 功率也在增加，甚至还有可能发生内存泄漏的现象。

    与 SRAM 不同，MRAM 属于非易失性存储器，能够在没有电源的情况下保存数据，而刷新数据只需要控制电源即可。但是，它一直存在比 SRAM 功耗高、存储速度慢的问题。

    东芝公司开发的这款 STT-MRAM 是在 MRAM 基础上改进的，两者的不同之处在于 STT-MRAM 操作速度更快，并且功耗也降低了 90% 以上。如果它与 SRAM 相比，则功耗只有后者的三分之一。这将被视为电池的使用时间净增加了两倍。

    目前，东芝公司开发的 STT-MRAM 还处在“高度精确处理器模拟器”研发阶段，并没有生产样品。不过东芝公司有信心将 STT-MRAM 集成到现实的移动处理器中，并在未来的智能手机和平板电脑中使用。