拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出业界首款低功率DDR3 内存缓冲芯片，可在高达 1866 兆/秒 (MT/s) 的传输速率下运行。通过提升 DDR3 减少负载双列直插内存模块 (LRDIMM) 的最高数据传输速率，并使系统制造商获益于更高速度的内存容量，新器件彰显了IDT在内存接口解决方案领域的领导者地位。IDT 的内存缓冲芯片是用于服务器、工作站和存储应用的先进内存子系统的关键组件。

    MB3518 是一个低功率 DDR3 内存缓冲芯片，能在 1 个通道内与 2 个 LRDIMM 以高达1866 兆/秒的传输速率运行。假设一个 32GB 容量的 4 通道 (quad-rank) LRDIMM，相当于在一个典型服务器中传输速率为 1866 兆/秒的 512GB 容量，那么使用 8 通道 64GB 的 LRDIMM 容量能翻番达到超过 1TB，预计将在 2013 年推出。这意味着相比于标准注册的双列直插内存模块 (RDIMMs)，在最高速度等级的相对容量内实现了四倍的提升，使计算系统能够支持更多内存并提升应用性能。内存缓冲芯片可在 1.5 V 或 1.35V 下运行，在不牺牲性能的前提下提供业界最低的功耗。这直接使得终端用户在功率和冷却方面节约可观的运营费用。

    IDT 公司副总裁兼企业计算部总经理 Mario Montana 表示：“作为内存接口解决方案的领导厂商，IDT 正在提高 LRDIMM 的性能极限。通过专注于低功率和高性能，在提升速度的同时坚持开发高效节能的解决方案以降低数据中心的运行成本并减少碳排放，IDT 的客户们可以从中获益。从系统来看，IDT 丰富的接口和互联产品组合为广大客户提供了有吸引力的价值选择，帮助他们构建市场上最先进的企业服务器和存储设备。”

    美光 (NASDAQ: MU) DRAM 市场部副总裁 Robert Feurle 表示：“美光致力于提供能够在提升性能的同时降低功率的 LRDIMM 解决方案，来满足我们的客户在高性能计算 (HPC)、数据中心和云计算方面的需求。我们很高兴与 IDT 紧密合作，开发下一代 LRDIMM 产品。”

    IDT 的内存缓存芯片拥有独有的调试和验证特性，包括每个引脚和晶片示波器的支持和内置逻辑分析仪的采集以促进全缓冲 DIMM 拓扑技术的开发、验证和测试。这些特性对于 LRDIMM 模块上的内存缓冲到 DRAM 接口尤其重要，因为它是完全独立于主控制器和自动测试仪的。IDT 内存缓冲芯片符合联合电子工程委员会 (JEDEC) 设立的最严格的规范。