比利时微电子研究中心IMEC宣布，将与Nantero公司合作开发临界尺寸小于20nm的碳纳米管非挥发性存储器。

    IMEC一直积极研究基于金属氧化物的电阻式RAM ，该组织希望能成功研发出碳纳米管(carbon nanotube, CNT)存储器，以作为DRAM的替代产品。

    位在美国麻萨诸塞州的Nantero公司早在2000年就开发出碳纳米管(CNT)存储器，称之为NRAM 。过去十年以来，该公司取得了显著进展，在Nantero的网站上，该公司声称NRAM很快就会在密度方面超越DRAM ，并在功耗方面赢过DRAM或闪存，甚至可取代便携产品中使用的闪存。

    每一个CNT尺寸都是纳米级，长度则可达到毫米级。然而， Nantero 开发了一种非编织状基质(non-woven matrix)的CNT，并将之沉积在包含底部单元选择元件和阵列线的基板上。

    2006年，该公司宣布已成功制造和测试了22nm存储器开关。为开发下一代高密度存储器技术， IMEC同意支持Nantero制造、测试和特征化NRAM阵列。

    “在检视Nantero的发展计划及该公司与制造伙伴的进展后，我们认为，针对下一代高度可扩展的存储器，这种基于CNT的非挥发性存储器拥有极具吸引力的特性，”IMEC CEO Luc Van den hove表示。

    Nantero已在CMOS生产环境中制造出高良率的4Mb NRAM阵列，该元件有几项重要性能优势：写入速度3ns；几乎是无限的数据保存能力－－截至目前为止，经测试后已超越10^ 12个周期；另外还包括更低的工作功耗，以及在高温下仍具备良好的数据保存性能，IMEC表示。

    “Nantero和IMEC的合作将能开发出能满足未来对terabit级存储器阵列以及超高速Gigabit等级非挥发性快取存储器应用需求的20nm以下存储器技术，”IMEC技术长Jo de Boeck表示。“如果我们能进一步证明其耐用性和速度等规范，NRAM甚至可作为DRAM的替代选项，进而让我们跨越18nm的微缩极限。”

    Nantero 公司共同创办人兼CEO Greg Schmergel 表示，该公司正在和全球领先的制造商以及IMEC合作，希望能尽快在市场上推出新的碳纳米管存储器。