FDPC8011S 25V 非对称N沟道MOSFET获《今日电子》与21ic颁发“最佳开发奖”

    高性能功率和便携解决方案供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布，该公司在全国领先电子行业媒体《今日电子》与21ic举办的Top-10电源产品奖中，荣获“最佳开发奖”。

    飞兆半导体凭着FDPC8011S 25V双功率芯片非对称N沟道模块 获得这一奖项。产品采用3.3x3.3mm2封装，设计用于在更小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率。Top-10电源产品奖的提名产品均按照“在技术或应用方面取得显着进步”， “具有开创性的设计”， “性价比显着提高”这三个标准评选。

    FDPC8011S在一个采用全Clip封装内集成1.4m? SyncFETTM 技术和一个5.4m?控制MOSFET、低质量因子的N沟道MOSFET，有助于减少同步降压应用中的电容数量并减小电感尺寸。该器件具有源极朝下和低侧MOSFET可以实现简单的布局和布线，提供更紧凑的线路板布局并获得最佳的散热性能。FDPC8011S具有超过25A的输出电流，与其它普通3x3mm2 双MOSFET器件相比，输出电流容量提高了2倍。

    获奖的FDPC8011S是飞兆半导体齐全的先进MOSFET技术产品系列的一部分，它能够为电源设计人员提供了大量针对任务关键性高效信息处理设计的解决方案。