在闪存业务方面若想获得成功，你需要结合闪存产品和控制器技术，美光表示这两样，它都具备。

    半导体制造商美光已经一定的闪存基础，提供SSD和PCIe连接的闪存卡，例如，被EMC VFCache采用的SLCP 320h。另外P320h的热插拔版本已经被戴尔服务器使用。

    美光想要传达的主要信息是，闪存技术将会变得更加复杂，需要紧密地集成控制器和NAND芯片。美光NAND解决方案副总裁Glenn Hawk表示：“那些精通NAND技术的公司，对于世界领先产品的开发有很大的优势。”换句话说，你需要了解你的控制器技术的具体闪存细节，美光最适合发展闪存，因为它有自己的闪存产品。而其他的竞争者Fusion-io、LSI和OCZ则没有。

    美光凭借自己的NAND技术进军客户端和企业端市场。

    在客户端SSD方面，美光利用SATA接口和例如来自Marvell的第三方控制器，构建了C400入门级系统，并且把目光瞄准了主流和高性能以及入门级部件。它将会在未来的几个月推出20nm级(29nm-20nm范围)SATASSD和之后的1Xnm(19-10nm范围)。入门级产品聚焦于降低成本;而主流和性能部件则注重提升性能。

    随着时间的推移，SATA总线将会变得饱和，PCIe客户端SSD的一些形式会得到发展。

    在带有内部控制器的企业级方面，有P400m SATA产品和P410m SAS产品用于存储阵列。P400M是一个25nm级产品，现在已经通过了OEM认证。对于美光来说PCIe是很有趣的，通过提供基于主机的管理来限制闪存性能和主机CPU循环，来提升竞争力。

    美光更喜欢基于闪存驱动器的管理，通过使用基于ASIC的控制器提高闪存速度以及释放主机服务器CPU周期来实现。

    据我们了解在发展过程中，美光正在开发MLCPCIe闪存卡。

    美光认为，到2015-2016年间我们将看到PCIe和SAS体系架构的融合以及新内存技术的诞生。可以肯定的是，美光将继续通过使用3DNAND技术，从当前的2Xnm过渡到1Xnm，推动容量和改善每GB成本。

    美光也致力于提供一个共享闪存系统。据Stifel Nicolaus分析师Aaron Rakers称，这将使用PCIeP320h闪存卡和收购Virtensys获得的PCIe共享技术。他预计2013年中期能够看到出货收入，2013年末看到产品版本。

    这样的产品将会和EMC的Thunder、Violin Memory的网络闪存阵列和使用Fusion-io的ION数据加速技术的系统相竞争。

    美光正在告诉世界它将长期经营闪存产品，并且相信它垂直的闪存产品和控制器技术集成赋予了美光一定的必要基础。Fusion-io、LSI、OCZ、SanDisk和STEC小心，美光正在发力。