瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体(IGBT)系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装置，适用于例如太阳能发电机与工业马达的功率调节器(功率转换器) 等处理高电压及大电流之设备。第7代技术以强化薄型晶圆製程为基础，权衡了传导、切换损耗及稳定效能而达到低损耗，且提高短路耐受能力。

    相较于第6代技术的600V与1200V系列产品，第7代产品系列具有较高的额定电压650V与1250V以因应低操作温升及过电压耐受能力之需求。

    瑞萨IGBT适用于马达控制应用。在这些情况中，装置之短路耐受能力是设计上的关键参数。第7代IGBT系列具备10µs额定短路耐受能力，因此可广泛应用于马达控制。

    近年来，于环保与其他因素之考量下，促使高能源效率之电子设备需求增加，并持续推动太阳能与风力发电等洁净能源，针对高电压及大电流之设备也持续努力提升其能源效率，例如太阳能逆变器、喷水帮浦及大电流变频器控制马达。为了大幅降低上述设备之直、交流转换损耗，高效能的IGBT产品需求于是增加。但是，这必须权衡其饱和电压，这个参数是在大电流操作下达成低损耗以及高短路电流耐受能力的关键。以往并无法兼得低损耗与高达约10微秒的短路耐受能力，一般认为这对于马达驱动器等应用都是不可或缺的，为因应此需求，瑞萨开发出上述高效能IGBT。

    新款IGBT的主要功能：

    (1)降低饱和电压，650 V版本为1.6 V，1250 V版本为1.8 V，以提供更优异的电源效率-独家超薄晶圆技术可将650 V版本产品的饱和电压从早期瑞萨同等产品的1.8 V(典型值)降低至1.6 V(典型值)，并可将1250 V版本产品从2.1 V降低至1.8 V，分别降低12%及15%。如此可降低功率损耗并有助于提升效率。

    (2)10微秒高短路耐受能力可提供更高水準的可靠性-高短路耐受能力对于大电流应用而言是非常重要的，藉由优化晶片架构的技术，瑞萨从早期同等产品的8微秒(μs)左右提升至10 μs以上。如此可确保在例如太阳能逆变器之功率调节系统中达到优异可靠度与稳定效能。

    (3)更快速的切换-藉由优化装置的表面架构，相较于瑞萨早期产品，反向传输电容(Cres)已降低约10%。这有助于更快速的切换并能够生产更具效率的电源转换器电路。

    上述效能之提升有助于降低各种应用的功率损耗及提高运作的稳定度，例如，叁相逆变器电路，其广泛用于大电流应用领域下之太阳能逆变器或工业用变频器控制马达。

    瑞萨提供微控制器(MCU)结合类比与功率装置的整体解决方案支援客户，其新款高效能第7代IGBT产品在全球同类型顶尖产品中佔有一席之地，这些产品成为瑞萨功率装置系列产品的核心，瑞萨计划继续推出此系列的新产品。

    瑞萨亦计划推出一系列套件解决方案，其中包含新款IGBT产品、用于马达与逆变器控制的瑞萨RL78与RX系列MCU，及用于功率装置驱动的光耦合器，伴随着其他产品。瑞萨準备推出配备新款IGBT产品的开发板，以支援客户的整体评估与系统设计。

    新款IGBT产品的出货形式为晶圆/晶片，RJH65S系列则提供TO-247A封装。

    瑞萨13款新IGBT产品 (包含650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列)自2012年七月开始供应样品，预定2012年9月开始量产，并预估至2013年4月达到每月50万颗的产能。