摘要：  美光科技今日在位于美国爱达荷州的总部宣布，该公司已经开始量产面向移动设备领域的相变内存(Phase Change Memory

，简称PCM)。

　　美光科技今日在位于美国爱达荷州的总部宣布，该公司已经开始量产面向移动设备领域的相变内存(Phase Change Memory，简

称PCM)。

　　目前量产的产品使用45nm制程工艺，规格为1个1Gbit的PCM颗粒与1个512Mbit的LPDDR2 DRAM组成堆叠封装。目前美光该45nm

PCM解决方案主要面向功能型手机市场，未来计划扩展到智能手机和平板电脑领域。

　　作为美光最亲密的合作伙伴，Intel也表明了力挺态度。Intel移动通信事业群组副总裁Stefan Butz称该公司一项站在技术的最

先端，在美光的PCM技术上看到了广阔的前景和价值。

　　根据PCM的技术特点，使用这种存储方案的设备将拥有更短的启动时间，更低的功耗=更长的续航以及更强的耐用性。由于PCM断

电后不丢失数据的特性，实际上除辅助DRAM作为内存之外还可替代NOR/NAND闪存的作用。