近日，中芯国际和灿芯半导体宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARMCortex-A9MPCore双核芯片测试结果达到1.3GHz。

    该测试芯片基于ARMCortex-A9双核处理器设计，采用中芯国际的40纳米低漏电工艺。处理器包括一个32KBI-cache和32KBD-cache以及其他所需之存储器模块、ARMNEON、调试和追踪的ARMCoreSight等等，另外还透过AMBAAXI总线集成了内建SRAM与DMA、NORflash、SDRAM、VGA等介面。除了高速标准单元库以外，该测试芯片还采用了中芯国际高速定制存储器和单元库以提高性能。