意法半导体独有的 FD-SOI技术投入量产，加快实现下一代移动产品更优性能、更低功耗
中国，2012年6月14日 —— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）宣布，引领全球半导体技术升级的半导体代工厂商 GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗尽绝缘体上硅）技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。当今的消费者对智能手机和平板电脑的期望越来越高，要求既能处理精美的图片，支持多媒体和高速宽带上网功能，同时又不能牺牲电池寿命。在设备厂商满足消费者这些需求的努力中，意法半导体的FD-SOI芯片的量产和上市将起到至关重要的作用。
多媒体融合应用需要性能和能效兼备的半导体技术。随着芯片外观尺寸不断缩小，传统技术无法使晶体管的性能和电池寿命同时达到最高水准，无法在实现最优性能的同时确保温度不超过安全限制。解决之道是采用FD-SOI技术，该技术兼备最高性能、低工作功耗（在各种应用中，降低电源功率后还能保持良好的性能）和低待机功耗。
凭借其注重成本效益的平面型FD-SOI技术，意法半导体率先推出了28纳米的全耗尽型器件，遥遥领先竞争对手。为FD-SOI货源提供双重保障，意法半导体与GLOBALFOUNDRIES签订了代工协议，以补充意法半导体位于法国Crolles工厂的产能。28n纳米FD-SOI器件目前已商用化，预计于2012年7月前投入原型设计；而 20纳米 FD-SOI器件目前处于研发阶段，预计2013年第三季度投入原型设计。
意法半导体的FD-SOI技术已被ST-Ericsson用于下一代移动平台，这项技术将使ST-Ericsson的 NovaThor™平台具有更高的性能和更低的功耗，在发挥最高性能的时候可降低功耗达35%。
意法半导体计划向GLOBALFOUNDRIES的其它客户开放FD-SOI技术，让他们能够使用目前最先进的 28纳米和20纳米技术研发产品。
意法半导体负责数字娱乐事业部前端制造和工艺研发业务副总裁Joel Hartmann表示：“意法半导体和合作伙伴的试验证明，FD-SOI的性能和功耗远远优于传统技术。FD-SOI是无线设备芯片和平板电脑芯片的最佳选择，虽然这项技术仍然使用传统的平面技术，但是能够提供全耗尽型晶体管的诸多优点，我们与 GLOBALFOUNDRIES的代工协议可为我们的客户提供更稳定可靠的货源。”
意法半导体负责设计支持和服务的副总裁Philippe Magarshack进一步表示： “因为没有MOS历史效应影响（MOS-history-effect），从28纳米块状硅（Bulk CMOS）技术向28纳米FD-SOI移植软件库和物理IP内核很简单。使用传统的CAD工具和方法研发FD-SOI数字系统芯片与研发传统CMOS制造工艺技术完全相同。此外，通过动态优化电路基片（俗称衬底），FD-SOI还可让同一芯片具有极高的性能或极低的功耗。最后，FD-SO在低电压条件下性能出色，能效明显高于传统的CMOS技术。”
GLOBALFOUNDRIES的首席技术官Gregg Bartlett表示：“今天的代工协议证明，产业合作对于采用尖端技术提供解决方案至关重要。 我们与意法半导体保持长期的合作关系，合作范围包括研发、制造，以及SOI技术。我们很高兴能够与意法半导体合作，把下一代SOI技术推入市场，引领移动革命继续深入发展。”
关于GLOBALFOUNDRIES
GLOBALFOUNDRIES是真正意义上的全球首家提供全方位服务的半导体代工厂。公司创办于2009年3月，快速发展成为全球规模最大的代工厂之一，为150多家客户提供结合先进技术和制造工艺的独特产品。GLOBALFOUNDRIES在新加坡、德国和美国设有经营机构，是业内唯一一家跨三大洲、为全球客户提供灵活且安全货源的代工厂。公司拥有三家300mm晶圆厂、五家200mm晶圆厂，提供从主流到尖端的全方位制造工艺。为促进其全球广泛分布的制造和业务，公司在美国、欧洲和亚洲设立了主要的研发和设计支持中心。GLOBALFOUNDRIES为Advanced Technology Investment Company (ATIC)所持有。
关于意法半导体
意法半导体（STMicroelectronics；ST）是全球领先的半导体解决方案供应商，为传感及功率技术和多媒体融合应用领域提供创新的解决方案。从能源管理和节能技术，到数字信任和数据安全，从医疗健身设备，到智能消费电子，从家电、汽车，到办公设备，从工作到娱乐，意法半导体的微电子器件无所不在，在丰富人们的生活方面发挥着积极、创新的作用。意法半导体代表着科技引领智能生活(life.augmented)的理念。
