LTE芯片可谓是LTE发展的一道短板，但随着运营商部署的推进，相关芯片厂商也在加速攻关。一件引人注目的事件是联芯科技发布了INNOPOWER原动力系列芯片的最新产品。具有标志意义的是LTE多模芯片LC1761系列，一款是可支持到4G、3G、2G的LC1761，该款芯片是率先支持祖冲之算法的LTE多模芯片;另外一款是纯4G版本，即支持TD-LTE和LTE FDD的双模基带芯片LC1761L，该芯片不但可以满足纯LTE数据终端市场需求，也可与其他各种制式灵活适配，满足多样化的市场需求。虽然芯片“成熟度”的提升将为LTE加快商用破解最后一道“难关”，但其发展仍面临重重挑战。

　　多模多频成为挑战

　　多模多频对终端设备的技术要求很高，芯片的设计和算法也应根据多模特性进行优化。

　　多模LTE解决方案面临多重挑战，主要挑战是要支持日渐增多的频段，以满足部署和漫游需求。

　　目前，在多模频段上，不同国家有不同的频段。在TD-LTE方面，中国、日本、美国的应用频段各不相同，中国TD-LTE应用在38频段、39频段和40频段，日本和美国是在41频段部署TD-LTE技术。此外，在LTE FDD方面，使用的光谱频段更具多样性。

　　多模多频的具体挑战表现在两个方面：一方面由于需要支持LTE和2G、3G多个模式、多个频段，对终端设备的技术有很高的要求，需要支持近17个不同的频段;另一方面，对于不同的国家和地区之间该如何协调频段间的资源，这也是一个至关重要又比较棘手的问题。

　　“多模需要克服系统互操作性、芯片复杂度、系统干扰、芯片面积与成本、终端结构等技术挑战。”重邮信科市场总监彭大芹也指出。

　　Marvell移动产品市场总监张路博士强调，在设计上，需要能够适应不断提升的LTE互操作需求;在技术上，需要提供稳健的切换能力及低功耗性能。

　　“整个芯片的设计和算法都要根据多模的特性进行优化，射频芯片设计的复杂度和配套外围器件的复杂度也都很高。还需要根据实际需求定制相关的元器件。”展讯通信有限公司市场经理王舒翀认为。

　　北京创毅讯联科技股份有限公司董事长兼CEO张辉博士指出：“多模TD-LTE产品重点在消费类市场，会随着中国移动的布局和用户的需求逐步成为市场的主流。在实现多模技术上，主要解决互操作性问题。”

　　面临多模多频的技术挑战，各家企业也在技术上进行探索实现，也看到一些显著的成效。

　　Marvell研制的多模TD-LTE调制解调芯片PXA1802，在技术上能够支持无缝的移动通信。重邮信科CYIT前期主要侧重支持LTE/TD-SCDMA/GSM多模。创毅已经出货TDD/FDD共模的芯片WarpDrive 5000，未来还将陆续推出支持TDL和TDS的多模芯片WarpDrive 6000，并和采用28nm工艺的LTE advanced的基带芯片一起，成为LTE多模全平台的智能手机turnkey方案。展讯去年发布首款基于40nm工艺的TD-LTE多模基带芯片SC9610，该单颗芯片集成了多模通信标准，包括多频段TD-LTE/TD-SCDMA和四频EDGE/GSM/GPRS。

　　LTE规模商用还需2～3年

　　终端的话音、功耗、体积、应用等问题解决后，LTE才能规模发展。

　　LTE目前大部分是数据类终端，多模手机LTE模块仅用于数据业务，语音解决方案尚不成熟，LTE商用进度如何，何时能够规模商用，这些也成为业界关注的问题。

　　张路指出，由于多模LTE智能手机一般需要配备3G芯片和LTE基带芯片，这样的架构对功耗优化带来很大的挑战。因为3G和4G无线接收发射器各自独立运行，这样在测量、处理、协调等方面会造成许多重复。

　　“目前基于3G手机的大部分方案是65nm，平均待机时间为1天半，已经获得市场的认可;对于LTE手机来说，40nm可以达到商用标准。创毅已率先推出国内LTE/TDS的多模手机，功耗达到了移动二阶段试验网的要求，未来的手机功耗将随着智能机的普及越来越会受到大家的关注，芯片将会演进到28nm工艺。”张辉认为。

　　TD-LTE未来市场广阔，展讯已开始配合国内外客户开发支持TD-LTE的各种终端产品。

　　张路提到，目前TD-LTE在全球的部署正在展开，但市场表现不一。由于各国频谱管制政策和法规不同，TD-LTE可能首先在中国之外的地区实现商业化部署。然而，中国仍然是最大的TD-LTE移动市场，中国移动为部署TD-LTE也出台了一系列的策略，推动TD-LTE不断走强。Marvell推出的基于40nm工艺的LTE基带芯片PXA1802能够支持包括数据软件狗、LTE MiFi及LTE智能手机在内的多种技术。Marvell将在2013年致力于单芯片片上系统解决方案的开发，将领先的基带集成到高性能、多核应用处理器技术中。

　　中兴通讯微电子研究院技术总监朱晓明告诉《中国电子报》记者：“从目前的应用上讲，45nm工艺终端芯片支持多模手机是没有问题的。LTE模块耗电虽然有些高，但是传输速度大，耗时就会短，实际上是省电的。LTE真正要把潜能发挥出来，比如容量更大、传输速度更高、能耗更低，则需要28nm的工艺。LTE大规模的推出需要等到2013年。”

　　TD-LTE技术优势主要体现在数据业务上。在TD-LTE发展初期和此后较长一段时间内，支持数据业务的数据卡、MIFI等数据类终端产品将是市场主要的产品形态。

　　“LTE智能终端只有在话音、功耗、体积、应用等终端环节解决后才可能规模发展，预计将在2014年之后。”彭大芹认为。

　　未来TD-LTE将向TD-LTE-A演进，需要支持更高速率的传输，这对芯片厂商提出了更高的要求。

    IC观察

    LTE需齐头并进

    （中兴通讯微电子研究院技术总监 朱晓明）

　　一个模式的开发和产品推出需要很多投入的资源。在TD-SCDMA/TD-LTE多模的发展上，两者不可能互相替代。目前，中兴微是齐头并进，TDD完成后，目前已在开发FDD。TD-LTE与LTE FDD之间的差异化大大缩小，从协议制定开始，就已考虑两者的融合。

　　TD-LTE也在国际市场起步发展，由于不同的运营商获得的凭证不一样、推行的业务不一样、面对的客户不一样，所以中国市场需求与国际市场需求是有区别的。虽然国内和国外要遵循统一标准，但在运营订制方面都有个性化的要求。

　　抓住国内外市场发展的机遇需要做到两点：首先，要有一个完整的战略;其次，要有比较长远的芯片规划。

　　中兴微成为入围MTNET多模测试第二阶段的三家芯片厂商之一，目前在单模测试上，流量、功耗等方面已达到业界水平。在多模切换上，性能已是业界领先水平。由于LTE是追求流量的大幅度提升，所以在流量方面还有待进一步改善，力争实现产品在复杂外场环境下性能的提高。

　　对于功耗和制程的挑战，需要在两方面下工夫：一是在设计上下工夫;二是追求工艺上的进步，力争做到28纳米，使功耗降低。

　　从目前的应用上讲，45纳米工艺终端芯片支持多模手机是没有问题的。LTE真正要把潜能发挥出来，则需要28纳米的工艺。LTE大规模的推出需要等到2013年。

　　今后多模是主流，单模只是一个暂时的阶段。LTE在协议上没有解决语音通讯的问题，不承载语音业务，把语音通讯下放到2G、3G来解决的。对此，多模将会有更广的应用前景，如果要商用，必须采用多模芯片。

　　在专利方面，TD-LTE芯片上的专利积累上主要分为标准专利和实践专利。标准专利主要是依靠中兴通讯的专利家庭，所以在通讯标准上的研究投入还是很大的。虽然有一定的风险，但是中兴微在TD-LTE上的专利有一定的话语权。智能手机平台上的专利属于实践专利，在自行研发，不存在风险。

　　TD-LTE产品发展的路线主要是多模单芯片。借助中兴通讯在终端上的积累，中兴微进行全平台方案操。