格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布新技术，将可为新一代的行动与消费性应用实现三维（3D）晶片堆叠，位于纽约萨拉托加郡的晶圆八厂已安装一套特殊生产工具，可在半导体晶圆上建立矽穿孔（TSV）技术，作业于20奈米技术平台上。

　　格罗方德技术长Gregg Bartlett表示，为解决这些新矽节点上的挑战，该公司与合作伙伴共同开发封装解决方案，用多元合作的方式，为客户提供最大的选择与弹性，同时节省成本、缩短量产时间，并降低开发新科技的风险。在晶圆八厂内，为20奈米技术导入TSV功能，可结合整个半导体生态系统中的设计至组装测试公司，建立共同开发与制造的合伙关系。

　　TSV功能允许客户将多个晶片垂直堆叠，为未来电子装置的严苛需求开创新道路。TSV的本质是在矽上以蚀刻方式垂直钻孔，再以铜填满，使垂直堆叠的整合式电路间得以进行通讯。例如，该技术允许电路设计师将记忆体晶片的堆叠放置在应用程式处理器之上，大幅提升记忆体频宽及降低耗电量。这也是新一代行动装置，如智慧型手机及平板电脑设计师所面临的最大难题。

　　在节点中采用3D整合式电路堆叠，逐渐被视为一种替代方案，可用以调整在电晶体上的传统技术节点。然而，引进新的封装技术后，晶片封装的相互作用复杂性也大幅提升，代工厂与合作伙伴在提供端对端的解决方案时，也较不易满足多元的设计需求。

　　格罗方德新晶圆八厂聚焦于32/28奈米及以下制程，而20奈米的技术开发目前正顺利进行中。第一个采用TSV的全流式矽（Full-Flow Silicon）预计将于今年第三季在晶圆八厂内开始运作。