ARM物理IP部门总经理SimonSegars在年度热门芯片大会(HotChipsevent)的主题演讲中称，“半导体尺寸将会迎来终点，我认为终点比很多人想的提早到来。另外，我们急需新的电池技术。”硅原子的尺寸已经达到了纳米级的半径，工艺技术也进入了个位数纳米的节点，他说，“在III-V半导体材料得到应用之前，尺寸目前只能到这个程度。”

　　Segars表示，超紫外线光刻(EUV)在大规模应用中的困难已经造成了一些问题。芯片制造商必须使用复杂的双重光刻图案技术，加上现在的浸润系统，同时也在等待14nm节点要求的超紫外线光刻。“你需要每小时生产200-300个晶圆，但现在的超紫外线光刻设备每小时只能生产5个晶圆。”Segars表示，“有些人怀疑超紫外光刻是否可以成为主流——的确还需要大量研发才能大规模使用。”

　　电池技术存在同样的挑战。电池续航能力每年增加11%，比摩尔定律的发展大大落后。及时要维持这样的缓慢发展率都“要求非常稀有的材料例如硅合金或碳纳米管”，他说。问题的另一面在于移动市场的机会非常大。Segars表示，“数字很大，去年40亿手机使用者中，智能手机的销售额达到2.8亿。”