日前，英特尔(Intel)与美光(Micron)合资成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20纳米制程生产之128GB NAND闪存。两家公司的20纳米制程的64GB NAND闪存也将进入量产；128GB NAND闪存预计于2012年进行量产。

    20纳米制程之128GB NAND Flash由英特尔与美光合资成立之IMFT所发展出来。该128GB NAND Flash为多层(multilevel)单元，英特尔与美光并未透露一个单元含有多少位(bit)。128GB NAND Flash首次采用平面式单元结构(planar cell structure)，该结构将高K金属栅极(High-K Metal Gate；HKMG)技术整合至NAND制作过程，突破传统NAND Flash技术的传统浮动闸(Floating Gate)架构。

    20纳米制程的128GB NAND Flash可实现1秒333MT(megatransfer)的速度，并于未来应用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)与固态硬盘。

    其他NAND Flash大厂也动作频频，如三星电子(Samsung Electronics)已对外宣布10纳米闪存研发完成，并计划在大陆兴建新的20纳米闪存生产线，一旦建厂获得批准，建厂也如期完工，新产线将于2013年投入量产。 而日本大厂东芝(Toshiba)则将3座模拟芯片厂关闭，并将资源投注于NAND Flash研发。