近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(HybridMemoryCube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。

　　美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的部分零件将会在IBM位于纽约的晶圆厂生产。

　　IBM将会在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE国际电子装置会议上展示它的TSV制程技术。

　　对于美光而言，混合式记忆体立方(HMC)是DRAM封装的一项突破。HMC的原型能以每秒128GB的速率执行，相较于目前的记忆体芯片的速率为12.8GB/s。HMC使用的电力也少了70%。

　　HMC将会运用在网路与高效能运算设备、工业自动化与消费性产品等。目前HMC将主要针对高端用户。