非易失性存储器”作为新一代国际公认存储技术，越来越受到世界各国高度重视。从7日在沪召开的第十一届非易失性存储器国际研讨会上获悉，上海在这一领域的研究已跻身国际先进水平。

　　与易失性存储器相比，非易失性存储器具有高速、高密度、可微缩、低功耗、抗辐射、断电后仍然能够保持数据等诸多优点。随着技术发展，非易失性存储器分为相变存储器、磁性存储器、电阻式存储器、铁电存储器等诸多类型。

　　中国科学院上海微系统所、中芯国际、micro-chip是产学研结合的团队，一直致力于研究我国自主的相变存储芯片和存储产品。

　　据中科院上海微系统所宋志棠研究员介绍，由上海微系统所、中芯国际和micro-chip组成的联合研究团队在相变存储器芯片的工程化研究方面已经取得突破性进展，研制出8Mb测试芯片，并实现全部存储功能，8英寸整片Bit优良率超过99%，开发出自主IP的双沟道隔离二极管阵列，成功实现了工艺集成和相关功能的演示，并建立了8英寸整片测试系统。

　　在此基础上，上海微系统所与中芯国际建立了12英寸专用PCRAM平台。12英寸40纳米相变存储器的产业化关键技术也取得了重要进展，完成了第一版芯片的设计，并进入关键的工艺开发;初步完成了尺寸为60-70纳米的相变材料填充和抛光、刻蚀等单项工艺开发。

　　第十一届非易失性存储器国际研讨会由国际电子电气工程师学会主办，中国科学院上海微系统与信息技术研究所和新加坡数据存储研究院共同承办，是国际非易失性存储器领域第一次在中国召开的权威会议。来自美国、法国、德国、西班牙、俄罗斯等10个国家和地区200多位专家学者和业内人士参加了此次会议。在为期三天的会议期间将举行10场大会报告和交流报告，围绕非易失性存储器领域的最新发展进行学术交流和研讨。