NAND闪存是一种高密度非易失性存储器，基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架构正变得日益复杂化。今天，单个8Gb密度SLC NAND闪存芯片的MOSFET数量就超过70万，这还未包括所有阵列器件在内；MLC约是SLC的1.5-2倍。图1显示了NAND功能块基本结构图，它通常是由I/O、低压(LV)系统、高压(LV)系统、控制逻辑和阵列5大部分组成。

    I/O是芯片接口，包括高速I/O接口电路和ESD。

    低压（LV）系统将提供内部电源供应和各个区域的功耗管理。同时它还可产生芯片中其它电路的电压和电流基准。

    高压（HV）系统是由大量电荷泵、调节器和电压控制电路组成，可为NAND单元提供必要的高电压。

    阵列是由单元阵列、阵列驱动器和感知放大器组成；由于其密度巨大，因此它是整个芯片的最大组成部分。

    控制逻辑是NAND的最后一个组成部分；它是NAND的大脑，包括有一个智能控制器和一个精密时钟生成器。