台湾新竹，常忆科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一颗256Kbit序列闪存产品─PM25LD256C。

    市场上既有的序列闪存厂商之技术, 由于在小容量产品上已无法有效降低die size及成本, 因此序列闪存产品在业界之最小容量一般只做到512Kbit, 惟常忆科技以pFlash的专利设计才能有效降低512Kbit以下容量的Flash die size, 故决定推出该项业界独有之产品。

    常忆科技256Kbit序列闪存产品的主要应用市场,是在需要极小容量程序代码或数据存储的运用方面,如NB/PC cam、游戏机、服务器、数字机上盒、数字电视等等原本使用EEPROM 32Kbit ~ 256Kbit之应用。在不增加现有接脚数, 且能提供极佳读写速度, 擦写次数, 低耗电量及长期数据保存年限, 并帮助系统厂商降低原本较昂贵的EEPROM成本最高可达60%, 常忆科技256Kbit序列闪存产品是最合适的选择。

    藉由PMOS band-to-band-tunnel(BTBT)专利的制程结构，0.18um pFlash 在-40度C至105度C可确保在经过20万次擦写后仍可保存资料长达20年。相较同业普遍使用的其它技术，die size面积约可缩小百分之40，并降低使用功率以及静态电流, 故常忆科技之序列闪存在过去十年持续提高出货量及市占率, 质量表现在2010全年累计为0.4ppm, 更为闪存创下业界品质之标竿。

    常忆科技已于今年四月推出PM25LD256C样品后，于七月正式量产。相关产品说明请至常忆科技网站查询。

    以下为PM25LD256C产品之主要功能说明:

    功能

    容量: 256Kbit; 符合Serial Peripheral Interface基本协议架构

    抹除单位: 4K-byte or 32K-byte

    写入单位: 256-byte per page

    工作电压范围 : 2.7-3.6V

    符合工业级温度范围 -40 ~ 105’C

    性能表现

    读取性能表现: Max 100MHz for fast read

    写入性能表现(时间): Typical 2ms per page program

    抹除性能表现(时间): Sector/Block/Chip Max 7ms

    耗电表现: Typical 1mA active read current, Typical 10mA program/erase current

    擦写次数: Min 200,000 cycles

    资料保存年限: Min 20 years

    封装

    业界标准之 8 pin SOIC, TSSOP, USON, KGD

    符合RoHS的无铅封装