Intel和镁光发表联合声明，正式推出采用20nm制程技术制造的NAND闪存芯片产品，并称这款产品将于年内在IMFT属下的工厂开始生产。不过两家的头名板凳还没有坐热，本周Sandisk和东芝组成的搭档组合便重新夺回了NAND闪存制程技术的宝座，他们宣称已经制造出了采用19nm制程技术的NAND闪存芯片，目前这两家公司在日本设有一家合资芯片制造公司。

    此举令外界感到非常惊讶。因为按照外界的估计，Sandisk与东芝本应到今年年末时才会对外公布其采用1xnm级别制程的NAND芯片产品。而现在Intel和镁光却只在第一名的宝座上坐了7天就被赶下台来。

    目前Sandisk与东芝开发的19nm制程技术已经应用到了公司的2位元型64Gb密度芯片产品上，也就是说采用这种19nm制程技术制造的芯片容量可以达到8GB水平。未来两家公司还计划将这种制程技术应用在3位元型闪存产品上。

    据东芝表示，两家公司将在其位于日本横滨的300mm规格Fab4(而非新建的300mmFab5)工厂内采用19nm制程生产这种芯片产品，并将逐步提升芯片的产量。目前两家公司在横滨的生产基地内共设有四间NAND闪存芯片工厂。

    去年，日本东芝公司开始了新NAND闪存芯片厂Fab5的建设工作，这间工厂同样也是300mm规格，该厂预计今年春季将竣工。

    东芝还表示，东芝方面采用19nm制程制作的2位元型64Gbit密度NAND芯片样品将于本月底对外供应，而产品的量产则定于今年第三季度进行。

    应用19nm制程将能进一步缩小闪存芯片的尺寸，这样东芝便可以将16片64Gbit密度的NAND闪存芯片安装在同一个封装内，制造出128GB容量的闪存芯片产品，以满足智能手机和平板电脑的需求。另外，这款采用19nm制程技术制造的NAND闪存芯片还启用了可提升数据传输速度的Toggle DDR2.0技术。

    而Sandisk方面则将在本季度内推出采用19nm制程64Gbit密度NAND芯片制作的X2闪存样品，产品的量产则计划于今年下半年启动。届时Sandisk同样会将19nm制程技术引入3位元型设计的NAND闪存芯片产品中去。