在日前的一场闪存高峰会中，SanDisk公司的技术长Yoram Cedar指出，下一代光刻技术的延迟，将导致NAND闪存的成长趋缓。市场原先对闪存的展望都相当乐观，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技术的延迟，闪存的成长可能需要再评估。

    现有的浸入式光刻工具将能能让闪存业者前进到小于10nm左右的几何尺寸，他表示。此外，供应商们也正在努力使用现有晶圆厂工具来建构3D堆叠NAND串，以进一步提升产能和供给量。

    而在未来，包括SanDisk在内的芯片制造商都在开发新的3D架构，运用阻抗的变化来建构更高密度的芯片。但是，这种所谓的电阻式RAM (resistive RAM)将需要EUV工具，他表示。

    Cedar拒绝透露任何有关EUV或当前3D芯片研究的具体时间表。不过，他表示，芯片制造商预计将推出采用浸入式工具开发的64和128Gb闪存元件。

    “从可用性和成本角度来看，今天半导体产业中，许多人都非常关注EUV的发展，但这项技术将耗资数百万美元。”Cedar表示。

    据报导，今年一月起便有一些预生产的EUV工具开始出货。而一些报告也指出，EUV工具成本可能高达1.2亿美元。

    但Cedar很乐观：EUV终将成为大家都可负担得起的方案。他还指出，业界一直恐惧摩尔定律即将终结，但迄今这仍然没有根据。

    “当处于90nm时，我们认为要前进到56nm非常困难，且这场工艺竞赛很可能随时结束，”他说。

    但好消息是闪存的需求一直很强劲。2015年以前，闪存的预估复合成长率达25%，几乎是硬盘存储的一倍，更远高于目前成长率仅1%的DRAM，他说。

    截至2015年，大约三分之一的NAND位元量将应用在多达11部的智能手机中，Cedar表示。而平板电脑在2015年估计可达3.27亿部，预估将消耗另外15%的NAND位元量。

    “平板电脑代表了一个从零开始，快速成长到规模相当庞大的市场，”他说。“今天市场上有更多创新产品不断问世，甚至在3~4年都无法预测到它们会如此蓬勃发展，未来这些产品也将维持其发展态势，”他补充道。

    他预计固态硬盘将消耗25%的NAND位元量，其中用户设备为1.33亿部，服务器约1,200万部。其余的NAND方面约有26%会用在MP3播放器、USB驱动和数码相机中，他表示。