美国麻省理工学院(MIT)的研究人员日前发表的一项研究成果显示，电子束“光刻”精度可以小到9纳米的范围，刷新了以前一项精度为25纳米的结果，这一进展有可能为电子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技术展开竞争提供了动力。

    尽管EUV光刻技术目前在商业化方面领先一步，有可能在22纳米以下的工艺生产中取代目前使用的浸末式光刻技术，但EUV光刻还面临一些棘手的问题，如强光源和光掩膜保护膜等，而采用电子束“光刻”则不会存在这些问题。不过电子束“光刻”也有它的问题，主要是“光刻”的速度太慢，这对掩膜制作来讲不是一个大问题，但如果要直接在硅片上直接刻蚀图形，在大生产中就没有经济效益，这使得电子束“光刻”的应用目前被局限在光刻掩膜制作等特殊的市场上。