在安全、防爆的产品中使用F-RAM替代EEPROM，可使写入速度更快、功耗更低,非易失性铁电随机存取存储器 (FRAM) 和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation 宣布，中国的压力变送器与电磁流量计供应商上海威尔泰工业自动化股份有限公司已将 Ramtron 的 FM25L16 16 千位 (Kb) 串行 F-RAM 存储器设计用于其 2000S 安全压力变送器中。在其全新固有的安全防爆传送器中，F-RAM 已完全替代 EEPROM。

    随着工业领域中的过程控制的日益复杂，如化工、制药、电力、水处理和食品加工等行业，智能压力变送器已日益受到欢迎。2000S 压力变送器具有多项先进的功能，包括双向通信、遥控校正及自我诊断。这些功能可实现更高的精度、更高的可靠性，以及更先进的通信协议，从而减少启动和维护的时间、工作量及成本。

    2000S 产品将传感技术与智能电子结合在单一封装中，而非易失性 F-RAM 存储器具备快速写入、高耐用性及低功耗特点，是这种先进设计必不可少的元件。在 2000S 中，F-RAM 存储各种配置参数，如变送器范围、信号类型、流体特性等，并在断电时保存这些数据，使到变送器在电源恢复后可即时投入使用。F-RAM 还可存储 2000S 自动化自我校正例行程序的校正/补偿数据，并执行事件与数据记录，系统可以使用这些数据来诊断是否需要维护。
 
    F-RAM 替代 EEPROM

    固有安全性：2000S是“固有安全性”的设备，意味着其设计可避免释放能量从而导致易燃材料起火和爆炸。因此，它需要工作电流非常低的存储器，如 F-RAM。
减少可变性：F-RAM 的快速写入对减少计算过程测量数据的可变性必不可少，这可为自我诊断带来更准确的测量数据、更多的系统控制能力及更高的盈利。
降低 MPU 开销：2000S 包括用于复杂计算的 MPU。由于智能压力变送器应用的处理量越来越密集，F-RAM 的快速写入优势可以降低 MPU 的开销。

    关于 FM25L16 F-RAM

    F-RAM 存储器提供与 RAM 技术相同的功能，但却是非易失性的。它提供“无延迟” (NoDelay™) 写入、几乎无限的写入耐用性 ((写入次数大约为 1e14)，以及低功耗。FM25L16 是带有行业标准串行外设接口 (SPI) 的16Kb F-RAM 存储器，可以在高达 18 MHz 的总线速度及低工作电流下连续进行读写操作。而同级 EEPROM 器件的写入延迟长，备有写入轮询软件，耐用性低于 100 万次写入，且在较高功率下工作。FM25L16 采用无铅的 8 脚 SOIC 和 DFN 封装，在工业温度范围内工作电压为 3V。