随着宜普EPC9003开发板的推出，用户可以更加容易在许多应用中开始利用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管(FET)进行设计，例如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电和同步整流等应用。

    EPC9003开发板是一种最大输入电压为200V、最大输出电流为5A、带板载栅极驱动的半桥电路，核心器件是EPC2010 200V eGaN FET。这款开发板在单块板上包含了所有关键元件，非常容易连接任何现有转换器，因此可以简化评估EPC2010 eGaN FET的过程。

    EPC9003开发板的尺寸是2” x 1.5”，不仅在带栅极驱动器的半桥结构中包含两个EPC2010 GaN FET，而且还有一个板载栅极驱动电源和旁路电容。另外还提供多个测试点，便于测量简单的波形和计算效率。EPC9003开发板还附有一份快速入门指南以供用户参考及便于使用。