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  • IMEC成功制造基于硅衬底的GaN功率器件
    http://www.ic72.com 发布时间:2011/6/2 10:07:33

        欧洲研究机构IMEC及其合作伙伴在一项关于GaN制造的研发计划中,在8寸硅晶圆上生长出了器件质量级的GaN/AlGaN层。

        这些首个基于8寸晶圆的GaN器件,对高效8寸晶圆厂生产具有成本效益的功率器件具有重要的里程碑意义。

        基于GaN的金属绝缘层半导体HEMT(MIS-HEMT,High electron mobility transistor)在制作时使用了应用材料公司生产的先进的MOCVD设备,不过大部分生产设备均是采用标准的CMOS制造设备。

        传统功率器件的欧姆接触和栅极采用金材料,但它使GaN工艺与传统的CMOS工艺不兼容。为了解决这个问题,IMEC在制作GaN HEMT的欧姆接触时,采用的是非金材料,同时将HEMT的肖特基栅极改为非金MIS栅极。非金MIS栅极不仅可以避免采用特殊工艺,同时还降低了传统HEMT器件的高漏电流问题。

    基于兼容CMOS工艺8寸硅衬底的GaN功率器件 www.ic72.com

        基于兼容CMOS工艺8寸硅衬底的GaN功率器件


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