恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 日前宣布，其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点，并且具有行业最低的R_{DS (on)}（25V和30V均为亚1 mΩ级），是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。传统方法主要着眼于降低R_{DS (on)}和Q_g，而恩智浦NextPower则采用超结技术来优化低R_{DS (on)}、低Q_oss、低Q_g(tot)与Q_gd之间的平衡，从而实现强大的开关性能，减少漏极输出与源极引脚之间的损耗，同时提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作为最坚固的Power-SO8封装，尺寸紧凑，面积仅为5mm x 6mm，可在恶劣环境下提供出色的功率开关功能。

    事实/要点:

    =恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在以下六个参数方面性能表现优异：

    - 低R_{DS (on)} —— 拥有行业最低R_{DS (on)}的Power-SO8封装产品 —— 在SYNC FET或功率OR-ing应用下具有I2R损耗低、性能出色的特点

    - 低Q_oss，有利于减少漏极与源引脚之间的损耗，当输出引脚上出现电压变化时，还可减少输出电容 (C_oss) 中存储的损耗能量

    - 低Miller电荷 (Q_gd)，有利于减少开关损耗和高频开关次数

    - SOA性能可以极好地承受过载和故障条件

    - 低栅极电荷 (Q_g) 可以减少栅极驱动电路中的损耗

    - 出色的额定结点温度T_j(max)，坚固型Power-SO8 LFPAK封装则为条件恶劣且对可靠性要求较高的环境提供了保障

    =主要应用领域包括同步降压稳压器、DC-DC转换、稳压器模块和功率OR-ing

    积极评价：

    恩智浦半导体功率MOSFET部营销经理Charles Limonard表示：“在25V和30V条件下实现行业最低的R_{DS (on)}，这只是其突出表现的一部分。最新NextPower器件的真正突破在于，我们还可以控制MOSFET行为的各个方面——超越导通电阻和栅极电荷——为开关应用带来高性能、高可靠性和最大功效。”