英特尔与美光科技合作推出新制程技术，让智能手机、平板计算机中的闪存储器容量更大、体积更小，今年下半年可望推出小于美国邮票，却有128GBs储存容量的样品。

    英特尔 (Intel)与美光科技 (Micron)上周宣布推出为NAND快闪存储器开发的新20纳米 (nm)制程技术，这项技术用于生产8GB多级单元 (MLC) NAND闪存储器元件，可为智能型手机与平板计算机提供高容量、体积小，但有如固态硬盘（SSD）储存的解决方案。

    这次宣布的20纳米制程是以原来的25纳米制程基础加以改善。英特尔表示，未来还会在制程技术上持续开发越来越微小的技术。

    英特尔也在与美光合资的快闪存储器公司IM FlashTechnologies(IMFT)官方网站上表示，20纳米 (nm)制程8GB闪存记忆元件目前正在取样，2011年下半年有望进入大规模生产；届时，英特尔与美光公司希望能推出16GB元件样品，可以提供小于美国邮票，却有128GBs容量的固态储存解决方案。