飞兆半导体公司日前发布声明，称已收购了碳化硅功率二极管公司TranSiC，但交易金额并没有透露。

    飞兆半导体董事会主席、CEO兼总裁Mark Thompson在一份声明中指出：“碳化硅技术可以与飞兆半导体现有的MOSFET、IGBT等芯片完美结合，使我们继续保持在高性能功率半导体中的领先地位。”

    资料显示，TranSiC是SiC专家Swedish于2005年建立的。它是从斯德哥尔摩的Royal Institute of Technology （KTH）公司分离出来的。

    TranSiC公司的CEO BoHammarlund曾表示，TranSiC公司的产品开关性能相比于同类产品也很优秀。公司从各种各样的货源购买SiC晶片和外部材料，但是关键的芯片处理全部完成与KTH的实验室中。

    在性能上的增长，纯硅功率晶体管有着令人羡慕的成绩，然而，对于高要求的功率开关和控制的应用上，它似乎已经到达了它的极限。

    碳化硅（SiC），作为一种新型半导体材料，具有潜在的优点：更小的体积、更有效率、完全去除开关损耗、低漏极电流、比标准半导体（纯硅半导体）更高的开关频率以及在标准的125℃结温以上工作的能力。小型化和高工作耐温使得这些器件的使用更加自如，甚至可以将这些器件直接置于电机的外壳内。

    任何一种新技术都会经历由发展到成熟的过程，SiC也不例外。标准功率开关，如绝缘栅双极型晶体管（IGBT），有很大的产品基础和优化的生产技术。而SiC却需要投入大量经费和研发资金来解决材料问题和完善半导体制造技术。然而这种功率开关器件，能够在正向导通大电流和反向截止千伏电压之间快速执行开关动作，这样的性能是值得一试的。

    SiC最初的成功应用和主要应用发光二极管，用于汽车头灯和仪表盘其他照明场合。其他的市场包括开关电源和肖特基势垒二极管。将来会应用到包括混合动力车辆、功率转换器（用于减小有源前置滤波器的体积）和交流/直流电机控制上。这些更高要求的应用还没有商业化，因为它们需要高质量的材料和大规模的生产力来降低成本。在全世界范围内，大量的研究经费投入到了公司、实验室和政府设施，以使SiC技术更加可行。一些专家预言，SiC技术的商业化、工业化甚至军工应用将在2到5年或者更远的时间内变成现实。