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  • 忆阻器技术准备迈向商业化
    http://www.ic72.com 发布时间:2010/11/24 12:00:28

        惠普(HP)近日宣布与韩国业者海力士(Hynix)签署合作研发协议,旨在将忆阻器(memristor)技术商业化;这两家公司将共同开发新的材料与制程整合技术,好将HP的忆阻器技术由研发阶段,推向以电阻式随机存取内存(resistive random access memory,ReRAM)形式呈现的商业化开发阶段。

        HP表示,双方的合作并非是排他的,该公司也有可能与其它厂商在 ReRAM 领域合作;而HP资深院士暨HP信息与量子系统实验室创始总监Stan Williams表示,该公司本身并不打算涉足ReRAM 业务。他在接受EETimes美国版采访时透露,未来HP期望将ReRAM运用在自家产品中,但目前尚不能公开是哪种产品。

        Williams指出,在初期,HP将与Hynix在芯片方面进行合作;接下来,HP期望将合作范围扩及其它内存厂商。他表示,这将让产业界能以具竞争力的价格买到ReRAM。

        Hynix将在自有实验室进行忆阻器的实作;该公司在内存技术方面是多方下注,目前也涉足其它竞争性内存技术的研究,包括与三星电子(Samsung Electronics)共同研发 MRAM 技术,以及与Grandis合作研发一种称为「自旋转移力矩随机存取内存(spin-transfer torque RAM)」的新一代MRAM技术。

        ReRAM与FeRAM、MRAM还有相变化内存(phase-change memory),都是新一代的内存技术;根据HP的介绍,ReRAM是一种低功耗的非挥发性内存,具备取代闪存的潜力,此外也有机会用以做为通用储存媒介──也就是能扮演目前闪存、DRAM甚至是硬盘机等储存装置的角色。

        Williams表示,采用ReRAM的终端产品预计在2013年底问世:「这是一种黑马级的技术,我认为它将会脱颖而出。」HP与Hynix尚未定义出将采用ReRAM的第一批终端产品,但Williams认为,该种内存技术是固态储存、PC主存储器与其它产品的理想选择。


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