网站首页
IC库存
IC展台
电子资讯
技术资料
PDF文档
我的博客
IC72论坛
ic72 logo
搜索关键字: 所有资讯 行业动态 市场趋势 政策法规 新品发布 技术资讯 价格快报 展会资讯
  • 达普IC芯片交易网 > 新闻中心 > 技术参数 > 正文
  • RSS
  • CCD的特性参数
    http://www.ic72.com 发布时间:2010/11/12 17:42:00

        1、 转移效率和转移损失率

        电荷转移效率是表征CCD 性能好坏的重要参数。一次转移后到达下一个势阱中的电荷与原来势阱中的电荷之比称之为转移效率。如在t=0 时,注入到某电极下的电荷为Q(0);在时间t 时,大多数电荷在电场作用下向下一个电极转移,但总有一小部分电荷由于某种原因留在该电极下。

    转移效率和转移损失率

        2、暗电流

        CCD成像器件在既无光有无电注入情况下的输出信号称为暗电流

        起因:半导体的热激发

        危害:限制器件的低频限

        引起固定图像噪音

        3、光谱响应

        CCD成像期间爱你的光谱响应范围有光敏元的材料决定,光谱响应曲线的形状受多方面的影响,如光敏元的结构、各层介质的折射率和消光系统、各层介质膜的厚度、入射光的入射角等;

        4、噪音

        CCD的噪音源:散粒噪声。转移噪声和热噪声

        散粒噪声:由于例子的无规性,无论是光注入,点注入还是热电子产生的信号电荷包的电子数总有一定的不确定性。

        转移噪声:其根本原因是转移损失及界面态俘获

        热噪声:信号电荷注入及检出时引进的;


    www.ic72.com 达普IC芯片交易网
  • 行业动态
  • 市场趋势
  • 政策法规
  • 新品发布
  • Baidu

    IC快速检索:abcdefghijklmnopqrstuvwxyz0123456789
    COPYRIGHT:(1998-2010) IC72 达普IC芯片交易网
    客户服务:service@IC72.com 库存上载:IC72@IC72.com
    (北京)联系方式: 在线QQ咨询:点击这里给我发消息 联系电话:010-82614113 传真:010-82614123
    京ICP备06008810号-21 京公网安备 11010802032910 号 企业资质