三星电子今天宣布全球首家量产使用20nm级工艺，3bpc技术的64Gb容量NAND闪存。该闪存的量产，将在不久后推动USB闪盘和SD卡等产品容量、性能的大幅度提升。

    3bpc闪存又称TLC闪存，相比SLC每个存储单元只能保存1bit数据，MLC闪存保存2bit数据，3bpc/TLC闪存的每个存储单元（Cell）可保存3bit数据。即使用更少的存储单元实现更大容量，主要面向闪存盘、存储卡或其他消费电子设备。由于其读写寿命较短，通常不会用于固态硬盘，但SandForce已经表示其控制器方案可以控制读写次数，从而使用低成本的3bpc闪存。

    Intel美光合资企业今年8月已经宣布成功研发25nm工艺64Gb 3bpc闪存，预计将于年底量产。三星此次宣布量产则依然没有公布具体制程，仅表示“20nm级”（20nm-29nm）。
 
    应用64Gb容量3bpc闪存，可以仅用一颗芯片打造8GB容量U盘或存储卡。由于采用了Toggle DDR 1.0规范技术，三星新3bpc闪存性能相比30nm级SDR产品也有显著提升。另外三星还表示，20nm级64Gb容量3bpc闪存的产出率比30nm级32Gb产品高60%，有助于大幅降低成本。