RenesasElectronics发布讯息指出，将于2010年度中投入运用GaN之半导体市场。相较现有矽材料，GaN具有高输出功率、可在高温下动作之特征，将运用GaN之优势，抢攻相关市场需求。

    预计2010年度内推出有线电视扩大器用产品样品，并开始样品出货，2011年度扩展至微波通讯设备用产品。2010年度内将推出的第一号产品为整合多颗GaNFET与电容器的有线电线用模组。该公司之GaN元件乃在矽基板上堆叠GaN，再形成电路。其他竞争厂商亦有采用SiC基板之案例，由于Sic基板直径一般为3-4寸，Renesas采用基板之大尺寸化(6寸)较为容易，据称可压低生产成本。

    Renesas之化合物元件业务之整体计画，以2012年度营收较2010年度成长2成为目标。相关策略

    包含，光耦合器之生产能力预计在2012年度较2009年底末提升1倍等，以期带动整体营收之成长。该公司之化合物元件部门之营收并未对外公开，估计约为500亿日圆之规模。在提升光耦合器等主力产品市占率之同时，亦藉由运用GaN材料之产品，切入有线电视扩大器、微波通讯设备等高频、高功率市场，扩大事业版图。