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  • 尔必达推30nm工艺最小尺寸低功耗DDR3颗粒
    http://www.ic72.com 发布时间:2010/9/30 9:57:18

        日本尔必达公司今天宣布,已经成功开发出一款采用30nm工艺的2Gb容量DDR3 SDRAM内存颗粒,核心面积和功耗都创下业界新纪录。

        该内存颗粒使用30nm工艺制造,是目前全球尺寸最小的2Gb容量DDR3颗粒,每块晶圆的成品产出量可比40nm工艺产品提升45%,大大提升成本竞争力。

        该颗粒最高支持DDR3-1866频率,也可以在1.35V低电压下实现1600MHz频率。同时,其工作电流亦为业内最低,相比同厂40nm产品工作电流降低15%,待机电流下降10%。
     
        尔必达将从今年12月开始量产这款30nm工艺2Gb DDR3颗粒,未来还会将30nm工艺引入Mobile RAM等产品线,并加入TSV硅晶穿孔技术,为手机数码相机等产品提供单芯片存储方案。
     

    尔必达推30nm工艺最小尺寸低功耗DDR3颗粒


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