据最新消息显示，三星将在今年四季度量产36nm制程工艺的2Gb DDR3芯片颗粒，在工艺方面继续保持领先优势。而三星明年基于36nm工艺的DRAM芯片出货量将达到50%。

    目前三星DRAM芯片主要采用46nm工艺制程，相比之下36nm工艺能够让成本下降30%之多，三星2Gb DDR3的平均生产成本会降到1美元左右。

    目前竞争对手的工艺升级情况依然步伐缓慢，尔必达刚刚从63nm向45nm迈进，而美光则是从50nm向42nm升级。
 
    根据集邦科技发布的报告，三季度DRAM期货价格环比下降13%。随着1Gb DDR3价格或降至1.50美元，四季度DRAM的期货价格恐还将环比下降20%。
 
    点评：近几年三星在存储芯片工艺方面推进速度相当之快，已经远远领先于日本、台湾地区企业了。新工艺的量产意味着更好的降低生产成本，而且对DRAM来说可以减少功耗提升性能，相信DDR3内存最高频率不久就会被再次刷新。