国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 m至59 m，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。

    IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“相比上一代产品，这个新型SO-8 P 沟道 MOSFET系列显著改善了电流处理能力，更为客户提供广泛的导通电阻选择，以适应他们对温度和成本的要求。同时，P 沟道技术也可以简化电路设计。”

    P 沟道 MOSFET器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 标准，所采用的材料不含铅，且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

    产品规格

    器件编号 封装 BV (V) 最大 Vgs (V) 10V下的典型 / 最大RDS(on) (m) 4.5V下的典型 / 最大RDS(on)(m)

    IRF9310 SO-8 -30 20 3.9 / 4.6 5.8 / 6.8

    IRF9317 SO-8 -30 20 5.4 / 6.6 8.3 / 10.2

    IRF9321 SO-8 -30 20 5.9 / 7.2 9.3 / 11.2

    IRF9328 SO-8 -30 20 10.0 / 11.9 16.1 / 19.7

    IRF9332 SO-8 -30 20 13.6 / 17.5 22.5 / 28.1

    IRF9333 SO-8 -30 20 15.6 / 19.4 25.6 / 32.5

    IRF9335 SO-8 -30 20 48 / 59 83 / 110
 
    IRF9362 SO-8 (dual) -30 20 17.0 / 21.0 25.7 / 32