主流企业级存储MLC闪存又有新品，今天Pliant推出其企业级闪存硬盘（EFD）产品。
Pliant在这个竞争激烈的行业中处于前列，专注于开发支持固态硬盘（SSD）的STEC，希望使硬盘驱动器替代存储阵列，在这里他们提供一流的存储和最快的数据I / O。Pliant第一次推出单层单元（SLC）闪存，这种闪存速度十分快但是却十分的昂贵，目前的2位多级单元（MLC）速度慢，但是仍快于硬盘驱动器，价格也比SLC便宜。
一般的MLC硬盘相对于SLC闪存读写次数有限，Pliant的MLC 驱动器采用了独有的ASIC（专用集成电路），这种ASIC可以扩展读写次数并提高数据的可靠性。这里有两种产品Lightning LB 200M和 400M。他们都是2.5英寸规格，有一个3Gbit/s SAS 接口和四个完全独立全双端口。 开发6Gbit/s SAS计划预计明年完成。
Pliant没有提供最快I/O速率，说这些往往是基于写入数据SSD缓存并不能反映出持续速度。报告说，LB 400M在4KB数据块下可提供超过10000的IOPS，这种IOPS是70/30混合读/写。LB 200M可以提供超过8000这样的IOPS。这两组数据不包括写入缓存，因为这两种产品本身就没有写入缓存。
400M的IOPS总持续速率在25000以上，而200M则超过20000。Pliant的LB 150S SLC产品则是超过120000——性能有很大的差距。400M的持续读写数据速率分别是270MB/S和100MB/S，而200M则是240MB/S和100MB/S。SLC产品可以提供420MB/S和220MB/S。
MLC驱动器如果进行持续不断写入的话则有5年寿命。数据安全措施包括巡读和内存回收，以加快回收写入过程，增强的ECC拥有三重余度的ECC元数据保护和能支持T10的数据交换格式（DIF）标准。
我们有可作为零存储阵列的SLC SSDS。由于不是以15000转光纤通道就是以SAS驱动器为一层，所以我们不得不调用0.5级MLC闪存驱动器存储。SLC闪存年底成为高端存储阵列如V-MAX和DS8000产品，以及MLC驱动器如CLARiiON、EVA 和 DS4000将成为中端阵列，像这样的事情是可能发生的。这种产品不像是个阵列，因为其同时使用SLC和MLC闪存时数据活跃数额差异不大。
EMC日前宣布，成本较低的MLC闪存驱动器是以镁光科技产品为基础的。
Pliant的 Lightning LB 200M 和 LB 400M正在进行OEM评估及鉴定，并将在十月授权Pliant。
