Intel和美光近日宣布将利用25nm技术交付每单元储存3比特（3-bit-per-cell，3bps）的多层单元（MLC）NAND闪存。两家公司表示，新的闪存芯片将成为到目前为之业内容量最高、体积最小的NAND设备。目前这两家厂商已经将最初产品样本交给了选定的客户，预计在年底全面投产。

    3bpc NAND闪存芯片主要用于闪存卡、USB驱动器和MP3播放器。两家厂商的固态盘将继续采用2bps和1bps NAND闪存。

    去年8月，Intel和美光共同创建的合资公司IM Flash Technologies (IMFT)公布采用34nm工艺首次实现3bps NAND闪存技术，NAND闪存面积减少了11%。不过，由于可靠性等问题，IMFT选择中断3bps NAND闪存产品的生产。

    接下来的今年1月，IMFT公布了业内首个25nm NAND闪存技术，一款2bps的MLC闪存。

    这次推出的新NAND闪存是后面这两项技术的结合体。IMFT表示，他们最新64Gb 3bps内存芯片提供了更高的密度，进一步降低了NAND闪存的基本价格。

    IMFT的25nm 8GB模片尺寸为0.35英寸×0.74英寸，包括多个小体积64Gb NAND芯片。使用这项NAND技术开发的产品所采用的芯片数是之前34nm技术的一半，实现了体积更小密度更高的设计。例如，一个256GB的固态盘可能采用32个8GB NAND闪存，而且不是64个；一个32GB智能手机仅需要4个这样的芯片；一个16GN闪存卡只需要2个。这一变化还削减了生产移动产品的成本。

    该设备的体积要比Intel和美光现有相同容量的25nm MLC闪存小20%。

    Intel NAND解决方案群组总经理Tom Rampone表示：“我们在今年1月推出业内最小的25nm芯片，然后马上迁移到25nm 3bps技术，未来我们将继续不断改进，为用户提供具有吸引力的领先产品。Intel计划利用IMFT在设计和制造方面的优势，基于新的8GB 25nm NAND设备为用户提供高密度、具有成本竞争力的产品。”

    美光NAND解决方案群组副总裁Brian Shirley表示：“我们正在合作认证最终产品设计中的8GB TLC NAND闪存设备，包括来自Lexar Media和美光的高容量产品。”