网站首页
IC库存
IC展台
电子资讯
技术资料
PDF文档
我的博客
IC72论坛
ic72 logo
搜索关键字: 所有资讯 行业动态 市场趋势 政策法规 新品发布 技术资讯 价格快报 展会资讯
  • 达普IC芯片交易网 > 新闻中心 > 新品发布 > 正文
  • RSS
  • 飞兆结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的FDZ3N513ZT
    http://www.ic72.com 发布时间:2010/8/16 8:53:02

        随着手机市场的持续发展,以及智能电话的使用率和市场增长不断上升,设计人员面临着在总体设计中增加功能性,但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势,飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT,占位面积仅为1mm x 1mm。

        FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要元件,用以驱动串联白光LED,为智能电话的显示屏(以及按键,如果有键盘的话)提供照明。

        该解决方案对各种动态特性作出仔细精确的优化,实现很低的开关损耗,从而使手机应用拥有相当高的转换效率和更长的电池寿命。

        FDZ3N513ZT结合了一个30V 集成式 N沟道MOSFET 和一个肖特基二极管,具有极低的输入电容 (典型值45pF) 和总体栅极电荷(1nC),以提高升压转换器设计的效率。

        FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封装,相比采用1.6mm x 1.6mm封装的器件,可节省60%的板上占位空间。

        飞兆半导体是移动技术领域的领导厂商,拥有大量可针对特定要求而定制的模拟与功率IP产品组合。FDZ3N513ZT 是飞兆半导体全面的先进MOSFET系列的一部分,能够满足业界在充电、负载开关、DC-DC和升压应用方面对紧凑、薄型的高性能MOSFET的需求。

        价格: 订购1,000个,单价为0.75美元

        供货: 现提供样品

        交货期 :收到订单后12周

     


    www.ic72.com 达普IC芯片交易网
  • 行业动态
  • 市场趋势
  • 政策法规
  • 新品发布
  • Baidu

    IC快速检索:abcdefghijklmnopqrstuvwxyz0123456789
    COPYRIGHT:(1998-2010) IC72 达普IC芯片交易网
    客户服务:service@IC72.com 库存上载:IC72@IC72.com
    (北京)联系方式: 在线QQ咨询:点击这里给我发消息 联系电话:010-82614113 传真:010-82614123
    京ICP备06008810号-21 京公网安备 11010802032910 号 企业资质