美光科技有限公司今日宣布，美光的32Gb、34纳米NAND闪存和1Gb、50纳米DRAM创新技术获得Semiconductor Insights公司（简称SI公司）认可，进入SI第八届Insight 年度大奖的最终评选。

    美光的32Gb、34纳米NAND芯片由英特尔和美光合作开发，并由双方组建的NAND闪存合资企业IM Flash Technologies公司制造。这款晶片进入“最具创新性工艺技术”和“最具创新性非挥发性存储器”两类奖项的最终评选。SI公司表示，这款32Gb、34纳米芯片是业界迄今为止密度最高的单片多层单元（MLC）NAND闪存芯片。有了这块高密度的小巧芯片，客户能够很方便地扩大一系列消费和计算产品的NAND存储容量。

    美光的1Gb、50纳米DDR2芯片由美光公司与南亚科技股份有限公司通过DRAM联合开发项目共同开发，这款晶片进入“最具创新性DRAM”奖项的最终评选。这款1Gb、50纳米DDR2芯片面积仅有41mm2，可为客户提供目前市场上最小的DRAM晶片尺寸。分析了这款产品之后，SI公司表示，该产品所采用的DRAM工艺技术是他们迄今分析过的同类最先进技术。

    美光公司内存事业部副总裁Brian Shirley说，“能获得Semiconductor Insights公司的认可，进入他们的Insight大奖的最终评选，我们感到很荣幸。美光公司用顶尖的NAND和DRAM设计不断突破技术的极限，我们将与研发合作伙伴共同努力，不断创新，为客户提供市场上最先进的存储器解决方案。”

    Insight大奖表彰那些依靠技术成就和创新在上年度对半导体行业的发展产生影响的公司。Insight大奖包含四个不同类别的奖项，由业界一流专家组成小组负责评选，成员包括：TechInsights Services公司首席技术官Edward Keyes、Portelligent公司总裁David Carey、TechOnline编辑主任Patrick Mannion以及Semiconductor Insights公司的资深分析师。评审专家将从每一类奖项的获提名候选者中评选出获胜者。

    Semiconductor Insights公司副总裁兼总经理Emil Alexov说，“今年Insight大奖的最后一轮候选产品达到了我们行业关键的创新里程碑，这显示了对技术突破不断施以压力的重要性，这样做可以更好地推进行业的发展，同时为他人定下新的努力方向和标准。”

    Insight大奖表彰企业通过创新设计和技术发展在半导体行业取得的巨大技术进步，他们改变了我们生活的世界。2009年3月31日，在EE Times ACE奖和Insight奖颁奖礼上将向这些企业和他们的创新技术颁奖。此次颁奖礼是TechInsight在硅谷举行的嵌入式系统大会（Embedded Systems Conference）的活动之一，大会堪称北美最大规模的电子系统设计盛事。