美国Innovative Silicon开发出了采用块状硅（Bulk Silicon）底板的无电容器式DRAM。该产品的工作电压不到1V，满足了DDR3要求的工作速度水平和功耗水平。因此，“已经具备了完全取代DRAM所需的核心技术”（Innovative Silicon）。与该公司签署授权协议的韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）已经试制出了54nm工艺的数Mbit测试芯片，并已完成了工作情况确认。两公司已经向预定2010年6月在美国夏威夷举行的“Symposium on VLSI Technology 2010”提交了有关该项成果的合著论文。

    Innovative Silicon此前以取代微处理器等中混载的DRAM和SRAM为目标，开发出了采用SOI底板的浮体内存（Floating Body Memory）。利用了电荷被蓄积于通道硅薄膜中的“底板浮动效应”。该公司此次证实，通过采用双栅构造的纵向通道晶体管，可以在硅底板上制作出浮体内存。构造为在垂直方向上将硅通道晶体管立起来，然后从两侧通过栅极电极加紧硅通道晶体管。Innovative Silicon表示，该构造与采用SOI底板时一样，在通道的电位悬浮起来后蓄积电荷。

    该浮体内存的工作电压不到1V，因此与采用SOI底板的浮体内存相比，可将动态数据保存时间（Dynamic Retention Time）改善至1000倍以上。动态数据保存时间容易受到工作电压的影响，工作电压为2.5V左右的原浮体内存，无法确保充足的动态数据保存时间。而此次的内存，可以使静态数据保存时间（Static Retention Time）维持数秒。由于采用纵向通道构造，因此内存单元面积可以达到超过现有DRAM的4F2。