东芝美国电子元器件有限公司(TAEC)扩大了其产品线的P沟道功率MOSFET，用于新一代低压负载开关，工作电压1.5V,有更低导通电阻(RDS(ON)),电流范围为1.0A~5.0A。典型应用于手机，数码相机，便携式音频播放器和其它便携式电子器件。

    新产品包括具有-20V的漏源电压(VDSS)的5个高速开关功率MOSFET，为设计者提供导通电阻RDS(ON))，输入电容和封装的选择。该系列采用三种不同的小型薄型封装：3引脚TSM(2.9x2.8x0.7mm)，6引脚UF6(2.0x2.1x0.7mm)，和3引脚UFM(2.0x2.1x0.7mm)。

    采用TSM封装的新器件包括SSM3J307T，在VGS=-1.5V，RDS(ON)为83mΩ（最大值），在-2.5V，RDS(ON)为40mΩ，以及输入电容为1170pF1S；SSM3J321T在VGS=-1.5V，RDS(ON)为137mΩ(最大值)，在2.5V为62mΩ，以及输入电容为640pF1。相比之下，上一代SSM3J13T为-12VDSS器件，在VGS=-2.5V，RDS(ON)为95mΩ(最大值)，以及输入电容为890pF1。

    另一个采用UF6封装的新MOSFET，SSM6J409TU，在VGS=-1.5V，RDS(ON)为72.3mΩ（最大值），在-2.5V为30.2mΩ，以及输入电容为1100pF1。其前身SSM6J51TU在VGS=-1.5V，RDS(ON)为150mΩ(最大值)，以及输入电容为1700pF1。

    采用UFM封装的两个新MOSFET，一个为SSM3J130TU，为-20VDSS器件，在VGS=-1.5V，RDS(ON)为63.2mΩ(最大值)，以及输入电容为1800pF1，另一个为SSM3J129TU，为-20VDSS器件，在VGS=-1.5V，RDS(ON)为137mΩ(最大值)，以及输入电容为640pF1。相比之下，上一代SSM3J120TU，在VGS=-1.5V，RDS(ON)为140mΩ(最大值)，以及输入电容为1484pF1。

    价格和供货情况：

    所有上述产品的样品均可提供，批量生产正在增加，样品数量起价为$0.12。