QJD1210006和QJD1210007碳化硅(SiC) MOSFET模块工作温度范围为–40°~200°C，远远超过那些基于硅IGBT的模块。该模块采用半桥配置，每个模块有两个开关,每个开关的SiC MOSFET电流为100 A。与同类型的硅IGBT模块（工作在150°C的结温）相比，工作在20kHz时,基于SiC MOSFET模块的传导损耗要低38%，开关损耗要低60%，总功耗降低54%。
两种MOSFET类型具有用于反向恢复的所有碳化硅肖特基二极管的特性。所有器件和连接电极与散热基板隔离，从而简化了系统组装和热管理。这些所有SiC MOSFET器件专为需要低传导和开关损耗的电源系统设计，加强应用于需要高效率、高频率和或高温度。应用于铲车、越野电动车和电源中。（现可供货，QJD1210006样品单价为$9,000，QJD1210007样品单价为$9,200）
Powerex, Inc.
