近年来中国的微电子和平板显示产业发展迅速，带动了光刻胶材料与高纯试剂供应商等产业链中的相关配套企业的建立和发展。特别是2009年LED（发光二极管）的迅猛发展，更加有力地推动了光刻胶产业的发展。中国的光刻胶产业市场在原有分立器件、IC、LCD（液晶显示器）的基础上，又加入了LED,再加上光伏的潜在市场，到2010年中国的光刻胶市场将超过20亿元，将占国际光刻胶市场比例的10%以上。

　　配套材料研发成为瓶颈

　　随着我国微电子技术的迅猛发展，与之配套的材料的研发已经越来越成为制约其发展的瓶颈，材料的研发愈加显得迫切。尽管国家对材料的发展给予了一定的支持，但由于国内基础较差，前期综合投入较少，材料发展的步伐依旧十分迟缓。特别是作为微电子技术发展最为关键的基础材料---高档光刻胶的发展与国际水平相比差距更大，高档光刻胶水平的提高和本土化的实现，成为微电子技术发展过程中最为关键的一个环节。

　　从国内相关产业对光刻胶的需求量来看，目前主要还是以紫外光刻胶的用量为主，其中的中小规模（5μm以上技术）及大规模集成电路（5μm、2~3μm、0.8~1.2μm技术）企业、分立器件生产企业对于紫外负型光刻胶的需求总量将分别达到100吨/年~150吨/年；用于集成电路、液晶显示的紫外正性光刻胶及用于LED的紫外正负性光刻胶的需求总量在700吨/年~800吨/年之间。但是超大规模集成电路深紫外248nm（0.18-0.13um技术）与193nm（90nm、65nm及45nm的技术）光刻胶随着Intel大连等数条大尺寸线的建立，需求量也与日俱增。

　　多管齐下发展光刻胶产业

　　高档光刻胶研发投入巨大，企业或研发机构难以承担。以248nm光刻胶研发为例，仅一台248nmScan-ner动辄就几千万美元，而与之配套的支撑设施的运行费用更需要长期的巨额投入，这些基本硬件的投入仅靠单个企业是无法承受的。硬件条件的缺失，限制了光刻胶的研发。目前我国从事光刻胶研发、应用及分析检测等方面的专业技术人才极为短缺。国内光刻胶人才流失严重，人才培养青黄不接，人才储备不足，严重影响了我国光刻胶产业的发展。

　　目前我国光刻胶的业内标准仍为空白，部分企业只有产品的企业标准，但没有形成完整的标准化体系。

　　鉴于目前我国光刻胶产业存在的主要问题，我们建议：

　　1.呼吁关于光刻胶及配套材料的相关优惠政策出台，至少可以享受目前集成电路产业所有的相关政策优惠。韩国Dojing光刻胶的发展经验，值得借鉴。我们已经落后，要做到后来者居上，政府的政策扶持必不可少。

　　2.建议设立科技专项资金，支持相关企业进行高档光刻胶的研发、应用测试及产业化工作。目前虽然也有一些项目支持，但是管理者对光刻胶产业缺乏足够的了解，支持力度远远不够。

　　3.企业牵头，政府扶持，建立产学研联盟。企业应与高校、研究机构合作，以促进项目的开发、人才的培养、标准的建立，同时尽快催生一个中国有公信力的光刻胶的研发、测试平台。

　　由北京科华微电子材料有限公司牵头，联合了清华大学、中科院微电子所、中科院化学所、北师大、北京化工大学、中芯国际、北京化学试剂研究所及中电集团公司第13研究所等国内一流的高校与院所的高档光刻胶产学研联盟下个月即将在北京宣告成立。北京地区不仅拥有国内从事光刻胶研发与生产最早、实力最雄厚、水平最高的机构，而且拥有国内一流的高校与院所，这些机构无论是在有机合成、精细化工工程方面，还是在应用测试及分析测试方面，均处于国内领先水平，将这些机构联合起来，充分发挥各自的优势，会在高档光刻胶的研发及与之相关的材料领域取得突破性的进展，提高我国高档光刻胶的技术水平，从而促进我国微电子技术的发展。

　　北京科华微电子材料有限公司主要产品为紫外负性光刻胶及配套试剂，紫外正性光刻胶（G、I线）及配套试剂，深紫外248nm、193nm光刻胶中试产品等。其中紫外负性光刻胶具有100吨级规模，负胶配套试剂具有200吨级规模，紫外正胶具有220吨级规模，正胶配套试剂具有500吨级规模。2010年公司将新增投资1000万元，将紫外正胶年生产规模增至500吨，正胶配套试剂1000吨。公司的产品主要应用于分立器件、IC、LCD、LED、PDP（等离子显示器）等领域。

　　科华微电子联合北京化学试剂研究所分别完成了i线正胶的产业化技术研究与产业化建设、248nm深紫外光刻胶和193nm深紫外光刻胶的技术研究工作。在g线正胶方面，科华微电子研制的KMPC5系列产品的分辨率等应用性能完全可以满足国内0.8μm~1.2μmIC工艺的生产要求。在i线正胶方面，科华微电子研制的KMPC7系列产品的分辨率等应用性能完全可以满足0.35μm~0.5μmIC技术工艺的生产要求。科华公司的248nm深紫外光刻胶的中试产品的最佳分辨率已经达到了0.13μm的水平，公司开展了193nm深紫外光刻胶实验室研究，光刻胶实验室样品分辨率可达0.1μm的水平，并申请发明专利两项。

　　随着北京科华微电子材料有限公司天竺基地的建成投产，国产的光刻胶产品大多为低端产品的局面将逐步改变。该基地建有我国第一条具有自主知识产权的高档光刻胶生产线，能够年产高档G、I线正胶产品220吨，填补了国内空白。