美国莱斯大学（Rice University）和北卡罗莱纳州立大学的一个研究小组日前公布了一种新工艺：把分子贴到半导体硅表面。研究小组声称，这种方法有助于电子制造商超越当前摩尔定律的极限，从而可以制造出体积更小、性能更强的微处理器。

    按照摩尔定律，集成电路上的晶体管数量每两年将增加一倍。随着电子制造商在越来越小的集成电路上放置越来越多的晶体管，掺杂成了一个严重问题，而掺杂是制造当今集成电路核心硅衬底的必不可少的一个过程。

    因此，该小组的挑战是如何超越掺杂的限制。该小组建议，通过将分子贴附到硅表面（而不是混合其中）来影响门限电压或栅电压，而达到一定的门限电压或栅电压才能在源极（蓝色）和漏极（蓝色）间建立一个导电通道从而将器件导通。分子影响了器件层（红色）内的可用的载流子数量。这种方法和掺杂的功能一样，在纳米范围内效果更好。

    莱斯大学化学系教授James Tour预计工业界会对该工艺有极大兴趣，这种工艺使碳分子通过化学浴或蒸发的方法与硅键合起来。