近日，中科院微电子所微波器件与集成电路研究室（四室）HBT超高速电路小组在刘新宇研究员和金智研究员的带领下研制成功两款基于1μm GaAs HBT工艺的8bit超高速直接数字频率综合器（Direct Digital frequency-Synthesizer, DDS）芯片DDS1和DDS2。

    据测试结果表明，DDS1可在大于10GHz内部时钟频率下正常工作，DC～5GHz输出频率范围内的无杂散动态范围为26dBc；DDS2可在大于5GHz内部时钟频率下正常工作，DC～2.5GHz输出频率范围内的无杂散动态范围为45dBc。这两款超高速DDS芯片的研制成功，不仅大大提升了国内DDS电路的最高频率，同时也显示了其在当前国际上GaAs HBT基DDS芯片时钟频率的最高水平。它们的成功展示了微电子所在超高速数模混合电路设计方向的实力。