三星电子股份有限公司，今天于台北六福皇宫酒店举办的第六届三星行动解决方案论坛中宣布，已在最近两个月内增产其具专利的1GigabIT (Gb) OneDRAMTM融合记忆体。

    三星电子公司记忆体事业部行动记忆体企划处副总裁Sei-Jin Kim表示："各界对于OneDRAMTM解决方案的兴趣日益增加，而OneDRAMTM正展现了三星一向兼顾手机的功能与创新设计，例如这次我们就将超快的速度与可观的省电技术结合在极具效率的1 Gb套件中。"

    三星60奈米级OneDRAMTM最先发表于2008年，其运作效率的增益对于智能手机这类复杂的多媒体手机而言尤具经济效益，因为这组晶片的166MHz超快处理速度，不但具备处理器顺畅的实际操作，更便利了全网页浏览与视频会议等功能。

    针对高速网路环境下使用的手机、3D影像传输、或是必须以超高速处理大量资料的高解析视频与高像素影像等场合所采用的OneDRAMTM，更能展现其不凡的效能优势。

    三星这次在行动解决方案论坛中展示的1Gb OneDRAMTM ，其资料传输速率可达1.3GBps，较先前发表的512Mb版本足足快上20%，更比传统的双接口RAM平台快上七倍之多。

    三星这套OneDRAMTM平台所需要的整体晶片数目较少，因此其印刷电路板的面积大约只有传统手机电路板的三分之二。而为了追求价格较低廉的解决方案，三星也以层叠封装（package-on-package，PoP）解决方案，提供OneDRAMTM处理器，搭配NAND快闪记忆体或OneNANDTM记忆体，高度只有1.5mm，将整个印刷电路板的面积减少了40%。这套层叠封装PoP解决方案能使效能提高七倍，用电量却减少了30%。

    OneDRAMTM的内部界面符合JEDEC的低耗电双倍资料传输速率(LPDDR)记忆体标准，透过OneDRAMTM晶片内部的共用区传输各个处理器之间的资料，因此在传输资料时并不需要DRAM及双接口RAM晶片。