IR 推出一系列获得工业认证的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，为不间断电源 (UPS) 逆变器、低压电动工具、ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的栅极电荷 (Qg) 。

    这些坚固耐用的MOSFET采用IR最新一代的沟道技术，并且通过非常低的导通电阻 (RDS(on)) 来减少散热。此外，新器件的超低栅极电荷有助于延长不间断电源逆变器或电动工具的电池寿命。

    IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“新器件能够提供最佳性价比。此外，通过提供四个等级的RDS(on) 及将Qg保持在30V的水平，新器件可让设计工程师灵活地选择最适合的器件，来配合其设计的规范和要求。”

    新款MOSFET拥有充分表征的崩溃电压和电流。随着IR对这些基准MOSFET的持续开发，它们将可以作为现有30V TO-220器件的直接替代品或升级品。

    新器件获得了工业级及一级潮湿敏感度 (MSL1) 认证。这些30V MOSFET采用TO-220封装，皆为无铅设计，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 指令。