英特尔是第一个推出Sata SSD（固态驱动器）--80GB X25-M--的公司。这款驱动器的速度和静音性能都非常优秀，不过，就是价格太高了。但是，这也可以理解，有所得必有所失嘛。

    当我们评测X25-M的时候，我们从来没有问过英特尔是用什么制造流程来生产多层单元（MLC）闪存芯片的。在英特尔推出第二代X25-M驱动器的时候，我们知道了这个信息：第一代的生产流程是50纳米，而新的芯片则使用了34纳米的生产流程。

Intel X25-M 34nm

    在驱动器内部，第二代X25看起来和第一代很像，但是如果你仔细观察，你会发现几乎所有的主要部件都已经更换了。

    高速缓存记忆体的单芯片容量已经从16MB增加到32MB，不过时钟速度看起来有些降低。控制器芯片的模型代码已经从PC29AS21AA0升级至PC29AS21BA0，这大概是为了能够和新的闪存记忆体连接。第一代驱动器使用20个芯片来提供80GB的容量，也就是说每个芯片4GB。

    到了第二代SSD，这个80GB容量的驱动器有10个8GB芯片。这些芯片处于PCB控制器的同一侧，没有一个在后端。新的布局意味着160GB的版本是很容易的事情，而320GB的版本也只需要对记忆体技术进行升级就可以了。

34nm闪存芯片

    尽管已经从50纳米技术变为30纳米技术，一代与二代之间在规格上的差别则出奇地小。持续顺序读写速度仍然分别为250MB/秒和70MB/秒。延迟时间则从85纳秒读取和115纳秒写入变为65纳秒读取和85纳秒写入，不过这个变化听起来并不是很明显。